序號

項目

技術(shù)參數(shù)

備注

1

測試參數(shù)

Cp，Df，TV，IR，

2

測試儀器

是德科技容量表E4981A電橋 1臺；日本HIOKI絕緣表 2臺；

3

容量表

測試頻率

120Hz  1kHz 、1MHz

測試范圍

1PF-1mF多擋選擇

測試電壓

0-1V

測試精度

容量：±0.5%（1MHz）；±1% （1KHz）

• 損耗角偏差:
• 1MHz：測試設(shè)備測量值與E4981A儀表測量值之間誤差小于0.0002；
• IKHz：測試設(shè)備測量值與E4981A儀表測量值之間誤差小于0.002。

4

高阻表

*少電流分辨率

0.01fA，

測試電壓

DC10～1000V

電流測試精度

±（1%+10dgt）

充電電流

2mA～50mA

5

耐壓表

*高測試電壓

DC1000V

電流測試范圍

20pA~2mA

電流測試精度

±（1%+10dgt）

充電電流

2mA～50mA

6

測試芯片規(guī)格

本設(shè)備兼容芯片多層電容1515、2020、3030；

7

設(shè)備空轉(zhuǎn)運行速度

150片/分鐘；

8

測試速度

3030: 80~120片/分鐘；

2020/1515：60~80片/分鐘；

（在測試過程中，由于每種電容的充電放電測試時間會有所區(qū)別，所以測試速度和產(chǎn)能上會有所區(qū)別的！）

9

合格**的測試合格率及重測率

測試合格率 ≥95%；

重測率≦5%；

10

測試要求：

合格倉產(chǎn)品合格率100%（即合格倉不能存在不合格品）；

NG倉誤判率≤1.5%；

重測率≤5%；

11

檔位（8個）

Df_NG檔 1個，Cp_NG檔1個，重測檔1個，TV/IR_NG檔1個，合格檔 4個；

12

測試后芯片外觀

會產(chǎn)生測試電極接觸痕跡，但能滿足客戶的外觀要求。芯片進行搬送及接觸，無刮傷至露陶瓷體現(xiàn)象。